据外媒报道，全球最大的存储芯片制造商三星电子(Samsung Electronics)周二宣布，已开始使用极紫外光刻(EUV)技术大规模生产业内最小的14纳米DRAM芯片，这将有助于巩固其在存储行业的领先地位。
继去年3月发运业界首款EUV DRAM后，三星电子已将EUV层的数量增加到5层，为其DDR5解决方案提供了最好、最先进的DRAM生产工艺。
与DDR4相比，DDR5是下一代DRAM标准，具有速度快、密度高、功耗低的特点。它还针对大数据、人工智能(AI)和机器学习等数据密集型应用进行了优化。
三星电子表示，EUV技术减少了多图案绘制中的重复步骤，提高了图案绘制的准确性，从而实现了更好的性能和更高的成品率，并缩短了开发时间。
