此前，TSMC CEO魏哲家公开表示，TSMC今年将冒险进入3nm N3工艺，并于2022年下半年投入量产，2023年第一季度将获得实际收益。而TSMC的2nm N2工艺将于2025年量产，并强调集成密度和性能均为行业最佳。此前，TSMC表示将考虑在这一过程中使用砷化镓场效应晶体管。
据说TSMC的3纳米N3工艺是继5纳米N5工艺之后的新节点。意味着TSMC 3纳米N3的通过密度可以提高70%，同样功耗下性能可以提升10-15%，同样性能下功耗可以降低25-30%，但是整个过程比较复杂，整个过程超过1000道工序。
TSMC的主要竞争对手三星已经宣布，将在2022年初量产3nm 3GAE的低功耗版本，明年年初量产3nm 3G GAP的高性能版本，而2nm 2GAP工艺将在2025年量产。
